تحلیل و شبیه سازی ترانزیستور soi-mosfet برای بهبود اثرات کانال کوتاه

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به طور مختصر به بررسی ساختار ترانزیستور soi mosfetمی پردازیم .در فصل دوم اثرات منفی کوتاه شدن طول کانال وعوامل موثر بر این اثرات را مورد تجزیه و تحلیل قرار خواهیم داد ودر نهایت در فصل سوم به شبیه سازی ترانزیستورsoi mosfet تغییر ساختار یافته به منظور کاهش اثرات منفی کوتاه شدن طول کانال خواهیم پرداخت.در ساختار پیشنهادی،گیت به شکل استوانه ای و دور تادور در نظر گرفته شده است.ساختار جدید شامل دو گیت جانبی ویک گیت اصلی می باشد،با اعمال ولتاژبه گیت های جانبی،دو لایه ی اینورژن در زیر هر یک از این گیت ها ایجاد می شود که در نتیجه آن اثر اشتراک بار بین نواحی تخلیه کانال با نواحی تخلیه سورس و درین ،کاهش یافته واثرات منفی کانال کوتاه بهبود می یابد. کلید واژه:اثرات کانال کوتاه،ولتاژآستانه،ترانزیستور اثر میدانی سیلیسیم برعایق،اثر حامل داغ،سورس/درین القایی،گیت های اصلی و جانبی،ماسفت با گیت دورتادور و استوانه ای شکل